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Transistor de puissance MOSFET IRF740 IRF740PBF N-Chan 400V 10A TO-220

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Transistor de puissance MOSFET IRF740 IRF740PBF N-Chan 400 V 10A TO-220

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Transistor de puissance MOSFET IRF740 IRF740PBF N-Chan 400 V 10A TO-220
Id - Continuous Drain Current: 10 A  
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 400 V  
Rds On - Drain-Source Resistance: 550 mOhms  
Transistor Polarity: N-Channel  
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V  
Maximum Operating Temperature: + 150 C  
Pd - Power Dissipation: 125 W  
Mounting Style: Through Hole  
Package / Case: TO-220-3  
Packaging: Tube  
Channel Mode: Enhancement  
Configuration: Single  
Fall Time: 24 ns  
Minimum Operating Temperature: - 55 C  
Rise Time: 27 ns  
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns

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